STRUCTURE&SURFACE ANALYSIS

구조/표면 분석팀

표면의 물리 화학은 첨단 재료 과학과 기술 분야에서 가장 도전적이고 흥미 진진한 분야 중 하나입니다. 구조 및 표면 분석 팀은 원소 이미징, 구조 분석, 성분 분석을 다루는 고급 복합
재료 특성화 기술개발에 중점을 둡니다.

주요연구 분야

구조/표면 분석팀의 연구분야
1

원소의 정량적 분석

2

물질의 전자 구조

3

고분자의 미세 구조 및 분자 배향

4

마이크론에서 서브마이크론까지 구조 형태 분석

AES, SIMS
정량 분석
깊이 방향 분포 분석
MEIS, PIXE

화학 결합 상태 깊이 방향 분포 분석

XPS
화학적 이동
화학 결합 상태
가전자대 상태밀도
NEXAFS, PES

화학 결합 상태
빈 구조

XRD, SAXS
화학적 상
결정 구조
XPS, EXAFS

화학 결합 상태
미세 구조

구조 분석

표면 물리학 및 화학은 첨단 소재 과학 분야에서 가장 어려우면서 흥미로운 분야입니다. 특히 구조 분석은 첨단 복합물 개발에 중점을 둡니다.

원자 단위의 표면 구조 관찰 및 측정
연구분야

XRD/PXRD를 이용한 다결정질 재료의 구조, 조성, 물성에 관한 연구

HRXRD를 이용한 에피층 박막재료 구조특성 연구

SAXS를 이용한 나노입자, 고분자의 전자 밀도차에 따른 크기, 모양, 분포 등의 연구

XRF를 이용한 재료의 비파괴적인 원소 및 화학 분석

XRR를 이용한 박막의 밀도, 거칠기, 두께 비파괴 분석

XAFS를 이용한 엑스선을 흡수하는 원자의 화학적 특성과, 그 원소 주위 국부적 구조에 (local 구조) 관한 연구

X-선 산란에 의한 정량 및 구조 분석

소재 및 박막의 결정 구조, 화학적 구성, 물리적 특성에 대한 정보를 나타내는 비파괴분석법(XRD, In-situ XRD, HR-XRD, XRR, SAXS, XRF)

  • in-situ XRD(SmO)
  • RSM analysis GaAs/GaAs(110)
  • X-Ray Reflectivity Mo/Si sub
중성자 산란에 의한 분자 물질의 구조 분석

HR-SANS (고분해능 저각도 중성자 산란)은 액체, 막, 고체 샘플 내의 연질 및 경질 물질의 크기, 형태, 클러스터-응집, 계면, 프랙탈 등 대형 구조를 측정합니다

가속기를 이용한 미세 구조 분석

EXAFS(광역 X-선 흡수 미세구조 분광분석)는 화학 반응으로 인한 국지적 미세 구조 변화를 분석합니다.

XANS(X-선 흡수 가장자리 근처 구조)는 전하 이동, 궤도 점유, 대칭에 민감한 측정 방법입니다.

Nano Letters 2014, 14, 416-422
X-선 흡수를 통한 분자 방향 분석

NEXAFS(근단 X-선 흡수 미세구조 분광분석)는 특정 원소와 그 결합에 민감한 기술이며 최종 상태의 원자, 산화물 상태, 위치 대칭, 밀도 상태(DOS) 등 다양한 화학 환경 정보를 제공합니다.

박막의 분자 등뼈 방향 정보를 제공합니다.

표면 분석

표면 물리학 및 화학은 첨단 소재 과학 분야에서 가장 어려우면서 흥미로운 분야입니다. 특히 표면 분석은 원소 이미지, 전자 구조, 화학 분석, 구성 분석 등 첨단 소재 특성 분석법의 개발에 중점을 둡니다.

원자 단위의 표면 구조 관찰 및 측정
표면 분석팀의 연구 목표는

국가 수요를 충족하는 연구 인프라 구축

표면 분석 기술의 실용적인 활용을 위한 전문가 교육

표면 분석 분야의 첨단 분석 기술 및 다양한 분석 도구 개발

첨단 소재 연구에 활용될 수 있는 in-situ 분석 기술 활용

표면 분석법에 의한 정량 분석

AES, XPS, ToF-SIMS, D-SIMS의 깊이 분포 분석을 통해 박막의 성분 분석을 할 수 있습니다. 원소 및 MCs+ 클러스터 분석을 통해 깊이 방향의 평균 원소 농도 및 분포 정보를 제공합니다.

Applied Physics A(2014)
블록 공중합체의 깊이 분포 분석 및 이미지 분석

이중 공중합체의 표면 형태는 AFM을 이용하여 알아낼 수 있고, 라멜라 구조를 이루고 있는 내부층의 깊이 방향 성분 분포 및 3D 이미지 맵핑은 ToF-SIMS 통해 확인할 수 있습니다.

Surf. Interface Anal. (2013) 45, 498-502