IBM analysis

IBM 분석팀

화학 물질의 조성, 구조, 형태 및 특성 규명의 분석 지원과,
생물학, 의학, 환경학, 지질학, 해양학, 재료과학, 법과학, 고고학 등 분야에서
정확한 분석과 새로운 분석기술을 제공함으로써 탁월한 연구성과 창출을 위해 최선을 다하고 있습니다.

유기 분석

유기 화학
바이오 분석
비임상 약동학

비임상 약동학적 특성 연구

약동학 및 안전 평가

약품 및 바이오 샘플 분석

약품 성분 분석

바이오 샘플 성분 분석

대사체학(UPLC/Q-TOF MS)
표적 대사체학

GABA, 글루타메이트, Ach, 히스타민 등 신경화학물

트립토판 및 티로신 대사 산물

글로벌 대사체학

실험군의 MS 조각 또는 대사 산물 경향 비교

통계 분석 및 대사 산물 라이브러리 검색 & ID 확인

샘플 : 바이오 샘플, 발효 샘플, 식물 유래 샘플, 등

위해 물질/유용 물질 분석

정량/정성 분석 of 유기 물질- GC-TOFMS, FT-IR, GC-MSMS, LC-MSMS

식품 분석 - HAC, 프탈레이트, 아실아마이드, 비스페놀 A, 곰팡이 독소, 지방산 등

수질 분석 – BTEX, VOC, 등

환경 샘플– PAH

제품의 불순물 분석

  • FT-IR

열 분석, 유기 성분(CHNOS) 분석
TG-DTA[DSC]

중합체(유기 물질)의 열분해, 상태 변화, 정량/정성 특징

유기 성분 분석

무기 분석

무기 분석

AAS, ICP-OES, ICP-MS, DMA, LA-ICP-MS, UV-Vis-NIR 분광기를 이용한 금속 기반 데이터 생산

반도체, 연료 전지, 바이오 물질, 환경, 식품 등 여러 분야의 샘플에 대한 분석 지원 서비스 제공

  • 바이오

    생체 재료에 대한 정량 연구
  • 재료

    커런덤 고정
    Laser ablation
    ICP-MS
    Be 분석
    보석의 진위여부 판별
  • 환경

    액체 시료의 특성상 sample의 분산 현상 등 여러 간섭 요인 발생
    토양시료(고체)를 전처리 없이 직접 분석
    토양자체 분석 한계 확인
    제조사 별 유류의 추적인자 판별

    액체 시료의 특성 상 여러 간섭 요인이 발생함
    → 액체 시료를 분석할 수 있는 kit를 자체적으로 개발

  • 식품

    이미징 데이터
    쌀알 내 무기 원소 분포 연구
  • [의약 분야] 항암 약품이 주입된 생쥐의 바이오 물질 내 Pt 연구

  • [환경 분야] 산업 단지 내 오염 토양의 중금속 분석

    연구 센터 구역 내의 분석을 통한 구체적 연구 분야 정의

    산업 단지의 토양 오염원 연구

    산업 단지 주변의 토양 오염 인자 결정을 위한 동위원소 비율 분석

    • 중금속 분석 방법 협의
    • 분석 및 결과
  • [종 분리] 직접 수은 분석기

    샘플의 수은 총량 분석

    샘플로부터 메틸 수은을 추출하고 DMA로 분석하는 방법 특허 등록

  • [종 분리] HPLC-ICP-MS를 이용한 비소 화학종 분석

    As 종 LOD
    (μg/kg)
    LOQ
    (μg/kg)
    Spiking 시험 CRM(NMIJ 7503-a)* 시험
    Conc. (μg/kg) Recovery (%) C.V (%) Ref. (μg/kg) Measure (μg/kg) Recovery (%) C.V (%)
    As(III) 0.03 0.09 5.12 97.6 3.1 71.1 64.9 95.1 4.3
    As(V) 0.02 0.06 5.10 105.6 2.7 13.0 13.5 103.5 3.9
    DMA 0.02 0.06 4.96 98.2 2.4 13.3 12.2 93.2 1.2
    MMA 0.02 0.06 4.91 96.4 2.1 - - - -

    좌우로 스크롤하여 내용을 확인 해 주세요.

  • [재료 분야] 특수 광섬유의 미량 원소 분석

    Sample
    Sample measurement
    붕소 밀도 증가에 따른 광섬유 내 균열 정도 확인
  • [재료 분야] UV/Vis/NIR 분광기

    특정 파장 영역에서 샘플의 자외선/적외선 흡광도, 투과율, 반사율 분석

가속기 분석

가속기 분석 실험실

가속기 분석 실험실은 가속기질량분광(AMS) 기술, 이온 빔 분석 (IBA) 기술, 이온 빔 재료 개질(IBMM) 기술을 개발하였고 이를 연구자에게 제공하여 과학기술 분야의 국가프로젝트를 다루는 주요 연구 센터로서 핵심 역할을 하고 있습니다.

주요연구 분야

이온빔 가속기
BT

바이오 의학 AMS 연구

AMS기반 마이크로 투여/추적

독성학, 영양학, 세포 내 추적 이미지

NT

미량 원소 비파괴 정량 분석

마이크로 가공

핵 마이크로 프로브를 통한 원소 맵핑

ET

대기/수질 오염 분석

고기후 복원

인류학 동위원소 분석

4개의 지질학 분야

IT

광자 IC

스마트 커트

자연 과학

핵물리학

고체물리학

재료공학

신소재합금, 세라믹, 중합체

미량 정량 분석

이온 주입/방사

이온 빔 물질 변형

전통 과학

C(탄소) 연대 측정

잔여물 비파괴 원소 분석

고고학/고대 유물

반도체

불순물 주입(이온 주입)

Bandgap 공학

가속기 질량분석법
가속기 질량분석법 이란?

가속기 질량분석법은 미량 성분 분석을 위해 원자를 하나씩 측정하는 분석 방법이며 유기 시료속에 존재하는 14C를 측정하여 연대를 밝히는 고고학에서의 연대측정, 극미량의 방사성 동위원소를 추적자로 사용하는 바이오 의학 분야, 고기후나 지형 변화를 연구하는 지구 과학, 지하수 오염원을 추적하고 원자력 물질을 모니터링 하는 환경 과학 등 여러 분야에 사용합니다.

고고학

방사성 탄소 연대 측정 기술( 14C)

시료 전처리

저 수준의

바이오 의학 분야

약동학( 14C, 41Ca) – 신약 개발

두 종류 이상의 동위원소 사용 연구

지구 과학

고기후 복원

암석 노출 연령 측정( 10Be, 14C)

환경 과학

지하수 오염물 추적 및 원자력 물질 모니터링( 36C1, 1291)

공기 오염원 추적( 14C)

이온빔 분석
Ion Beam Analysis
후방산란 입자
Rutherford 후방 산란 분광법(RBS)

높은 에너지(수 MeV)를 가지는 헬륨원자 핵을 시료와 충돌 시킨 후 뒤쪽으로 산란(후방산란)된 헬륨원자 핵의 에너지를 측정함으로써 대상 물질의 종류, 구성비, 층 구조를 분석합니다. 이와 같은 분석방법은 반도체, 디스플레이, 이차 전지, 생산 공정 Q/A 및 Q/C 등 얇은 막 소재의 R&D에 유용합니다.
단일 및 이중 정전식 가속기를 1-3 MeV He 이온을 발생시키기 위해 사용합니다. 실리콘 검출기를 에너지 분광법에 사용합니다.

전방산란측정법 (ERD)

RBS는 얇은 막의 절대 정량 분석에 매우 장점이 있지만 질량 분해능 감소, 에너지 중첩, 대상 경원소의 작은 반응 단면적, 수소 분석 불가능 등 원리상 한계점을 갖습니다. 전방산란측정법은 이와 같은 RBS 한계점을 극복할 수 있습니다. 간단한 실리콘 에너지 검출기를 사용하는 후방 산란법과 달리 전방산란 기술의 핵심은 특정 시스템에 적절한 분광기를 설치하는 것입니다. 2013년 본 연구소는 수소 분석을 위한 흡수박막을 활용한 기존의 ERD 분광시스템을 완성하였고 이를 2014년부터 분석 서비스를 제공하고 있습니다. 현재 행 시간-에너지 분광기(TOF-E 분광기)가 개발되어 시험 중입니다. TOF-E 분광기 개발이 완료되면 수소 등 경원소 정량 분석에 사용될 것입니다. 향후에는 가스 이원화 검출기(GIC)를 개발하여 중원소 검출에 활용할 것입니다.

입자유도 X-선 방출 (PIXE)

이온 빔 방사에서 생성되는 특정 X-선를 통하여 대상 물질의 구성 원소를 분석합니다. 전자현미경에서 전자 빔을 사용하는 EDS와 비교했을 때 전자 빔의 제동복사가 없기때문에 배경준위가 상대적으로 적다. 따라서 PIXE 검출 분해능은 EDS 보다 100배 더 좋습니다. 본 연구소는 Si(Li) 검출기(유효 직경: 4mm, 두께: 5mm)를 사용하는 X-선 검출 시스템을 갖추고 있습니다.
후방 산란과 동시에 생성된 X-선를 RBS의 질량 분해능을 보완하기 위해 측정합니다.

중에너지 이온 산란법(MEIS)

반도체 검출기를 사용하는 RBS 및 ERD의 경우 에너지 분해능은 10 keV 수준을 넘습니다.
이와 같은 수치를 깊이 분해능으로 환산하면 대략 수 십 nm입니다. 얇은 막 최초 상태나 표면/계면에서의 초기 성장을 관찰하기 위해 깊이 분해능이 단일분자층 수준인 분광법이 필요합니다.
본 이온 산란 분석법의 경우 저지능이 최대인 100 keV의 양성자 이온 또는 400 keV의 α[알파] 입자를 발생하는 원환형 정전식 에너지 분석기(ESA)를 통해 산란 입자의 에너지 스팩트럼이 가능합니다.